Описание
IGBT транзистор FGA15N120ANTD (TO-3P) — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором от ON Semiconductor (Fairchild), выполненный по NPT Trench-технологии. Компонент оптимизирован для резонансных топологий, имеет высокое напряжение пробоя 1200В и ток коллектора 30А. Встроенный антипараллельный диод обеспечивает полную защиту от обратных выбросов.
В майнинговом оборудовании FGA15N120ANTD применяется в первичных цепях мощных блоков питания ASIC-майнеров. Используется в резонансных LLC-преобразователях и активных PFC. Высокое напряжение и низкое насыщение обеспечивают надёжную круглосуточную работу.
Назначение:
- Силовые ключи в резонансных LLC-преобразователях блоков питания майнеров.
- Применение в активных корректорах коэффициента мощности высокой мощности.
- Замена вышедших из строя IGBT в блоках питания Antminer, Whatsminer.
- Использование в инверторах и сварочных аппаратах.
Технические характеристики:
- Модель: FGA15N120ANTD.
- Производитель: ON Semiconductor (Fairchild).
- Тип: N-канальный IGBT с антипараллельным диодом.
- Технология: NPT Trench.
- Корпус: TO-3P.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В.
- Ток коллектора: 30 А.
- Импульсный ток: 60 А.
- Напряжение насыщения: 2.2 В.
- Рассеиваемая мощность: 250 Вт.
- Заряд затвора: 110 нКл.
- Рабочая температура: -55…+150 °C.
Конструктивные особенности:
- Корпус TO-3P, размеры 15.5×4.8 мм.
- Высота с выводами: 20.0 мм.
- Вес компонента: 0.0065 кг (6.5 грамма).
- Встроенный антипараллельный диод.
- Положительный температурный коэффициент.
Особенности:
- Низкие потери проводимости и переключения.
- Высокая лавинная стойкость.
- Мягкое восстановление диода.
- Устойчивость к короткому замыканию.
Рекомендации по применению:
- Использовать драйвер затвора с напряжением 15В.
- Установить снабберную цепь для подавления выбросов.
- Использовать радиатор с принудительным обдувом.
FGA15N120ANTD — надёжный IGBT для блоков питания ASIC-майнеров. NPT Trench технология обеспечивает высокую эффективность и надёжность.
