Описание
GP28S50X.
GP28S50X Datasheet
Наименование прибора: GP28S50XN3P
Маркировка: GP28S50X
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 255 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40.7 nC
Время нарастания (tr): 104.5 ns
Выходная емкость (Cd): 1766.7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.125 Ohm
