Описание

GP28S50X.

GP28S50X Datasheet

Наименование прибора: GP28S50XN3P

Маркировка: GP28S50X

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 255 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 40.7 nC

Время нарастания (tr): 104.5 ns

Выходная емкость (Cd): 1766.7 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.125 Ohm

Смотреть подробное описание