Описание

HYG007N03LS1C2 (DFN5) транзистор MOSFET — надежный и эффективный компонент, который широко используется в системах майнинга. Он обладает высокой производительностью и низким сопротивлением открытого канала (RDS(ON)), что позволяет эффективно управлять током и напряжением.

Спецификация:

  • Модель: HYG007N03LS1C2
  • Тип корпуса: DFN5
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Напряжение стока-истока (VDS): 30 В
  • Ток стока (ID): 75 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(ON)): 7 мОм
  • Максимальная мощность (PD): 125 Вт
  • Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Модель HYG007N03LS1C2 имеет номинальное напряжение стока-истока (VDS) 30 В и ток стока (ID) до 75 А, что обеспечивает стабильную работу в широком диапазоне нагрузок. Сопротивление открытого канала (RDS(ON)) составляет всего 7 мОм, что позволяет снизить потери мощности и повысить эффективность работы системы.

Транзистор MOSFET HYG007N03LS1C2 (DFN5) имеет компактный корпус DFN5, что облегчает его установку и интеграцию в различные устройства майнинга. Он также обладает широким температурным диапазоном работы от -55°C до +150°C, что позволяет использовать его в различных условиях эксплуатации.

HYG007N03LS1C2 (DFN5) транзистор MOSFET — надежный и эффективный компонент, который поможет оптимизировать работу систем майнинга и обеспечить стабильную и эффективную передачу тока и напряжения.

Детали

Вес 2 г
Габариты 6 × 6 × 2 мм
Смотреть подробное описание