Описание
Транзистор IPP60R099C6 (TO-220) — это N-канальный силовой MOSFET от Infineon серии CoolMOS C6. Технология супер-джанкшен обеспечивает низкое сопротивление открытого канала 99 мОм при напряжении 600В. Оптимизирован для высокочастотных импульсных источников питания, активных PFC и инверторов.
В майнинговом оборудовании IPP60R099C6 применяется в первичных цепях мощных блоков питания ASIC-майнеров (Antminer, Whatsminer). Используется в PFC-преобразователях и LLC-топологиях. Низкое сопротивление и высокая скорость переключения минимизируют тепловыделение и повышают КПД.
Назначение:
- Силовые ключи в активных корректорах коэффициента мощности (PFC).
- Применение в высокочастотных импульсных источниках питания.
- Использование в резонансных (LLC) топологиях.
- Замена вышедших из строя MOSFET в блоках питания майнеров.
Технические характеристики:
- Модель: IPP60R099C6.
- Производитель: Infineon Technologies.
- Серия: CoolMOS C6.
- Тип: N-канальный MOSFET.
- Технология: Super Junction.
- Корпус: TO-220.
- Напряжение сток-исток: 600 В.
- Ток стока: 37.9 А.
- Сопротивление открытого канала: 0.099 Ом (99 мОм).
- Заряд затвора: 119 нКл.
- Входная емкость: 2660 пФ.
- Рассеиваемая мощность: 278 Вт.
- Рабочая температура: -55…+150 °C.
Конструктивные особенности:
- Корпус TO-220, размеры 10.65×4.85×16.15 мм.
- Вес компонента: 0.0025 кг (2.5 грамма).
- Прочный пластиковый корпус с металлической подложкой.
Особенности:
- Низкое сопротивление канала 99 мОм.
- Высокая скорость переключения.
- Устойчивость к лавинному пробою.
- Энергоэффективность.
Рекомендации по применению:
- Обеспечить напряжение затвора ≥10 В.
- Использовать термопасту при монтаже на радиатор.
- Момент затяжки винта: 0.8…1.2 Н·м.
- Применять снабберные цепи для подавления выбросов.
IPP60R099C6 — высокоэффективный MOSFET для блоков питания ASIC-майнеров. Технология CoolMOS C6 обеспечивает низкое тепловыделение и высокую надежность.
