IXFH32N50Q (TO-247)

Описание

Транзистор IXFH32N50Q (TO-247) — это мощный N-канальный полевой MOSFET транзистор серии HiPerFET от IXYS (Littelfuse), предназначенный для высоковольтных ключевых приложений. Компонент создан по планарной технологии и оптимизирован для низкого сопротивления открытого канала и минимальных динамических потерь.

В майнинговом оборудовании IXFH32N50Q применяется в силовых узлах блоков питания ASIC-майнеров. Используется в выходных каскадах мощных импульсных источников питания, в цепях корректора коэффициента мощности (PFC) и инверторах. Низкое сопротивление канала и высокая надежность обеспечивают стабильную работу в круглосуточном режиме.

Назначение:

• Силовые ключи в импульсных блоках питания ASIC-майнеров.
• Применение в активных корректорах коэффициента мощности (PFC).
• Использование в инверторных звеньях блоков питания.
• Замена вышедших из строя MOSFET в ремонтируемых блоках питания Antminer, Whatsminer.

Технические характеристики:

• Модель: IXFH32N50Q.
• Производитель: IXYS (Littelfuse).
• Тип: N-канальный MOSFET.
• Корпус: TO-247 (3 вывода).
• Технология: HiPerFET (планарная).
• Напряжение сток-исток (V_DSS): 500 В.
• Ток стока (I_D): 32 А (при T_C=25°C).
• Импульсный ток стока (I_DM): 128 А.
• Сопротивление открытого канала (R_DS(on)): 0.16 Ом (тип.).
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 360 Вт.
• Заряд затвора (Q_G): 130 нКл.
• Входная емкость (C_iss): 3500 пФ.
• Время задержки включения (t_d(on)): 32 нс.
• Время задержки выключения (t_d(off)): 70 нс.
• Рабочая температура перехода (T_j): от -55 до +150 °C.

Конструктивные особенности:

• Корпус TO-247 с размерами 15.9×5.0 мм.
• Высота корпуса с выводами: 20.3 мм.
• Вес компонента: 0.0061 кг (6.1 грамма).
• Прочный пластиковый корпус с металлической подложкой для отвода тепла.
• Расстояние между выводами: 5.45 мм.

Особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (0.16 Ом) минимизирует потери проводимости.
• Высокая скорость переключения и оптимизированный заряд затвора.
• Улучшенная стойкость к лавинному пробою (EAS).
• Широкая область безопасной работы (SOA).

Рекомендации по применению:

• Для управления использовать драйвер затвора с выходным током не менее 2А.
• Обязательно установить снабберную цепь для подавления выбросов напряжения.
• Для отвода тепла использовать радиатор с принудительным обдувом.
• Резистор в цепи затвора подбирать в диапазоне 10-50 Ом.

IXFH32N50Q — надёжный высоковольтный MOSFET для блоков питания майнингового оборудования. Высокое напряжение (500В), низкое сопротивление и прочный корпус TO-247 делают его отличным выбором для ремонта и модернизации импульсных источников питания ASIC-майнеров.