Описание
Особенности:
Низкий ток в режиме ожидания (менее 0,1 мкА)
Низкоомная трубка силового переключателя MOSFET во включенном состоянии – для разработки силовой трубки используется технология MOS – внутреннее сопротивление силовой трубки канала 1200 мА 0,35 Ом – внутреннее сопротивление трубки силового канала 200 мА 0,31 Ом условия Нижний VCC может быть приостановлен — самое низкое напряжение высокого уровня входного сигнала больше 2,4 В. Малый входной ток — встроенные подтягивающие резисторы около 15 кОм к земле — VCC нормально подключен, а средний входной ток Сигнал возбуждения 3 В составляет 200 мкА — VCC приостановлен, а средний сигнал возбуждения 3 В составляет 350 мкА Входной ток Встроенная схема тепловой защиты (TSD) с эффектом гистерезиса Уровень антистатизма: 3 кВ