Описание
440 V, 20A.
NGD8201AG (DPAK) — это P-канальный MOSFET (транзистор с изоляцией на полевом эффекте) в корпусе DPAK, предназначенный для использования в различных электронных схемах и устройствах.
Основные характеристики транзистора NGD8201AG включают:
1. Номинальное напряжение стока-истока (Vds): 20 В
2. Номинальный ток стока (Id): 10 А
3. Прямое сопротивление канала (Rds(on)): меньше 0,049 Ом при Vgs = -10 В
4. Номинальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В
5. Прямой сопротивление затвор-исток (Rgs): 2 Ом (макс.)
NGD8201AG обладает низким сопротивлением канала и умеренной емкостью затвора, что делает его подходящим для многих приложений, требующих эффективного управления высокими токами.
Он может использоваться в схемах постоянного и переменного тока, инверторных и стабилизаторных блоках питания, моторных приводах, светодиодных источниках питания и других устройствах.
Пожалуйста, обратите внимание, что для максимальной эффективности и безопасности необходимо правильно выбрать компоненты и настроить схемы с учетом данных транзистора. Рекомендуется обратиться к документации и руководству пользователя для более подробной информации о применении NGD8201AG.
