Описание
Транзистор OSG65R035HF (TO-247) — это мощный N-канальный полевой MOSFET на 700 В от Oriental Semiconductor. Компонент выполнен по технологии GreenMOS с балансировкой заряда, что обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую эффективность переключения. Прибор оптимизирован для топологий с высокой плотностью мощности, таких как промышленные блоки питания и зарядные станции.
В майнинговом оборудовании транзистор OSG65R035HF применяется в первичных цепях сверхмощных блоков питания для ASIC-майнеров Antminer, Whatsminer. Низкое сопротивление канала (35 мОм) и высокое напряжение (700 В) обеспечивают высокий КПД и надежную работу.
Назначение:
- Силовые ключи в активных корректорах коэффициента мощности (PFC).
- Применение в первичных цепях импульсных источников питания.
- Использование в резонансных (LLC) топологиях и инверторах.
- Замена вышедших из строя MOSFET в блоках питания майнеров.
Технические характеристики:
- Модель: OSG65R035HF.
- Производитель: Oriental Semiconductor.
- Технология: GreenMOS.
- Тип: N-канальный MOSFET.
- Корпус: TO-247.
- Напряжение сток-исток: 700 В.
- Ток стока: 54 А.
- Сопротивление открытого канала: 0.035 Ом (35 мОм).
- Рассеиваемая мощность: 400 Вт.
- Рабочая температура: -55…+150 °C.
Конструктивные особенности:
- Корпус TO-247, размеры 15.9×5.0 мм.
- Высота корпуса с выводами: 20.3 мм.
- Вес компонента: 0.0061 кг (6.1 грамма).
- Прочный пластиковый корпус с металлической подложкой.
Особенности:
- Низкое сопротивление открытого канала (35 мОм).
- Высокое напряжение пробоя (700 В).
- Технология GreenMOS для высокой эффективности.
- Высокая надежность при температурах до 150°C.
Рекомендации по применению:
- Обеспечить напряжение затвора ≥10 В.
- Использовать термопасту при монтаже на радиатор.
- Применять снабберные цепи для подавления выбросов.
OSG65R035HF — высокоэффективный MOSFET для блоков питания ASIC-майнеров. Низкое сопротивление и высокое напряжение обеспечивают надежную работу.
