Описание

OSG65R069HS datasheet

700V 53A

OSG65R069HS — это силовой MOSFET-транзистор (металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор) с низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой скоростью переключения. Основные характеристики могут включать:

1. Тип транзистора: N-канальный MOSFET.
2. Максимальное напряжение сток-исток (Vds)**: 650 В.
3. Максимальный ток стока (Id): Зависит от условий эксплуатации, обычно указывается в даташите.
4. **Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on))**: 0.069 Ом.
5. **Корпус**: Обычно TO-247или аналогичный, но точный тип корпуса нужно уточнять в даташите.

Этот транзистор может использоваться в различных приложениях, таких как источники питания, преобразователи напряжения, инверторы и другие устройства, требующие высокоэффективного управления мощностью.

Для получения более детальной информации, включая электрические характеристики и параметры, рекомендуется обратиться к официальному даташиту производителя.

Детали

Вес 3 г
Габариты 24 × 12 × 3 мм
Смотреть подробное описание