Описание
RS60R070W представляет собой N-канальный многослойный эпитаксиальный полевой транзистор с суперпереходом, изготовленный Ruisen с использованием передовой технологии суперперехода. Благодаря оптимизации структуры чипа продукт имеет чрезвычайно низкое внутреннее сопротивление проводимости и высокий заряд затвора, что может значительно снизить электромагнитные помехи продукта и потери при переключении. Широко используется в мощных импульсных источниках питания, зарядных устройствах, горнодобывающих машинах и других областях.
Спецификация
- Тип транзистора: MOSFET
- Корпус: TO-247
- Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 600 В
- Максимальный ток стока (Id): 47 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0.07 Ом
- Максимальная мощность рассеивания (Pd): 300 Вт
- Температурный диапазон работы: -55°C до +150°C
- Скорость переключения: Высокая
- Защита: От перегрева и перенапряжения
RS60R070W (TO-247) – это надежный и эффективный компонент, который обеспечит стабильную работу ваших электронных устройств и систем
