Описание

RS60R070W представляет собой N-канальный многослойный эпитаксиальный полевой транзистор с суперпереходом, изготовленный Ruisen с использованием передовой технологии суперперехода. Благодаря оптимизации структуры чипа продукт имеет чрезвычайно низкое внутреннее сопротивление проводимости и высокий заряд затвора, что может значительно снизить электромагнитные помехи продукта и потери при переключении. Широко используется в мощных импульсных источниках питания, зарядных устройствах, горнодобывающих машинах и других областях.

RS60R070W datasheet

Спецификация

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Корпус: TO-247
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 600 В
  • Максимальный ток стока (Id): 47 А
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0.07 Ом
  • Максимальная мощность рассеивания (Pd): 300 Вт
  • Температурный диапазон работы: -55°C до +150°C
  • Скорость переключения: Высокая
  • Защита: От перегрева и перенапряжения

RS60R070W (TO-247) – это надежный и эффективный компонент, который обеспечит стабильную работу ваших электронных устройств и систем

Детали

Вес 5 г
Габариты 10 × 10 × 3 мм
Смотреть подробное описание