Описание
Транзистор STW40N90K5 (TO-247) — это мощный N-канальный полевой MOSFET на 900 В по технологии супер-джанкшен MDmesh K5 от STMicroelectronics. Обеспечивает низкое сопротивление открытого канала (88 мОм) и малый заряд затвора. Предназначен для высокоэффективных импульсных источников питания, активных PFC и резонансных преобразователей.
В майнинговом оборудовании STW40N90K5 применяется в первичных цепях мощных блоков питания ASIC-майнеров Antminer, Whatsminer. Низкое сопротивление, высокая рассеиваемая мощность (446 Вт) и широкий температурный диапазон обеспечивают надёжную круглосуточную работу.
Назначение:
- Силовые ключи в активных корректорах коэффициента мощности (PFC).
- Применение в первичных цепях высокоэффективных импульсных источников питания.
- Использование в резонансных (LLC) топологиях и инверторах.
- Замена вышедших из строя MOSFET в блоках питания майнеров.
Технические характеристики:
- Модель: STW40N90K5.
- Производитель: STMicroelectronics.
- Серия: MDmesh K5.
- Тип: N-канальный MOSFET.
- Технология: Super Junction.
- Корпус: TO-247.
- Напряжение сток-исток: 900 В.
- Ток стока: 40 А.
- Сопротивление открытого канала: 0.088 Ом (88 мОм).
- Рассеиваемая мощность: 446 Вт.
- Заряд затвора: 89 нКл.
- Входная емкость: 3260 пФ.
- Рабочая температура: -55…+150 °C.
Конструктивные особенности:
- Корпус TO-247, размеры 15.9×5.0 мм.
- Высота корпуса с выводами: 20.3 мм.
- Вес компонента: 0.0061 кг (6.1 грамма).
- Прочный пластиковый корпус с металлической подложкой.
Особенности:
- Низкое сопротивление канала (88 мОм).
- Высокое напряжение пробоя (900 В).
- Малый заряд затвора и низкие емкости.
- Высокая устойчивость к лавинному пробою.
Рекомендации по применению:
- Обеспечить напряжение затвора ≥10 В.
- Использовать термопасту при монтаже на радиатор.
- Применять снабберные цепи для подавления выбросов.
STW40N90K5 — высокоэффективный MOSFET для блоков питания ASIC-майнеров. Технология MDmesh K5 обеспечивает низкое тепловыделение и высокую надежность.
