Описание
TP65H035G4WS datasheet
650V, 46.5A
TP65H035G4WS 650 В, 35 мОм нитрид галлия (GaN).
FET — это обычно выключенное устройство, использующее Transform Gen IV. Платформа. Он сочетает в себе современный высоковольтный GaN HEMT с низковольтным кремниевым полевым МОП-транзистором обеспечивает превосходное надежность и производительность. Платформа Gen IV SuperGaN™ использует усовершенствованные эпитаксиальные и запатентованные технологии проектирования для упрощения технологичности повышая эффективность по сравнению с кремнием за счет более низкого заряда затвора, выходная емкость, переходные потери и обратное восстановление обвинение. The Tp65h035g4ws (TO-247) is a power MOSFET transistor that is commonly used in various electronic applications. Here is some information about this specific component:
— Package Type: TO-247
— Manufacturer: It is unclear which manufacturer produces this specific transistor. The part number itself does not provide information about the manufacturer.
— Part Number: Tp65h035g4ws
— Transistor Type: Power MOSFET
— Electrical Characteristics: The datasheet for this specific transistor would provide detailed information about its electrical characteristics, such as voltage, current, power ratings, on-resistance, gate charge, and other relevant parameters.
— Application: Power MOSFETs are widely used in various power electronics applications, such as power supplies, motor drives, inverters, and switching regulators. They are designed to handle high voltage and current levels efficiently.
Please note that without a datasheet or more specific information about this part, it is challenging to provide detailed specifications or application details. It is essential to consult the datasheet or contact the manufacturer for accurate information regarding its electrical characteristics and recommended applications.
