Описание
TP65H150LSG (8×8 PQFN) — это высокоэффективный и надежный полевой транзистор (MOSFET), предназначенный для использования в различных электронных устройствах и системах. Этот компонент идеально подходит для применения в источниках питания, преобразователях напряжения, инверторах и других устройствах, требующих высокой мощности и эффективности.
Спецификация
- Тип транзистора: MOSFET
- Максимальное напряжение (Vds): 650 В
- Максимальный ток (Id): 150 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0.015 Ом
- Корпус: PQFN (8×8 мм)
- Максимальная температура перехода: 150°C
- Пороговое напряжение (Vgs(th)): 2.5 В
- Емкость затвора (Ciss): 4500 пФ
Преимущества
- Высокая эффективность и надежность
- Компактный корпус с отличным тепловым управлением
- Подходит для широкого спектра применений
- Низкое сопротивление в открытом состоянии
Корпус PQFN (Power Quad Flat No-lead) размером 8×8 мм обеспечивает отличное тепловое управление и компактные размеры, что делает его идеальным выбором для современных компактных устройств. Они сочетают в себе новейшие технологии высоковольтного GaN HEMT и низковольтных кремниевых МОП-транзисторов, обеспечивая превосходную надежность и производительность. Transphorm GaN обеспечивает повышенную эффективность по сравнению с кремнием за счет меньшего заряда затвора, меньших потерь на переходе и меньшего заряда обратного восстановления.
TP65H150LSG (8×8 PQFN) — это высококачественный полевой транзистор, который обеспечивает надежную работу и высокую эффективность в различных приложениях. Благодаря своим характеристикам и компактному корпусу, он является отличным выбором для современных электронных устройств.