Описание

TP65H150LSG (8×8 PQFN) — это высокоэффективный и надежный полевой транзистор (MOSFET), предназначенный для использования в различных электронных устройствах и системах. Этот компонент идеально подходит для применения в источниках питания, преобразователях напряжения, инверторах и других устройствах, требующих высокой мощности и эффективности.

TP65H150LSG datasheet

Спецификация

  • Тип транзистора: MOSFET
  • Максимальное напряжение (Vds): 650 В
  • Максимальный ток (Id): 150 А
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0.015 Ом
  • Корпус: PQFN (8×8 мм)
  • Максимальная температура перехода: 150°C
  • Пороговое напряжение (Vgs(th)): 2.5 В
  • Емкость затвора (Ciss): 4500 пФ

Преимущества

  • Высокая эффективность и надежность
  • Компактный корпус с отличным тепловым управлением
  • Подходит для широкого спектра применений
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии

Корпус PQFN (Power Quad Flat No-lead) размером 8×8 мм обеспечивает отличное тепловое управление и компактные размеры, что делает его идеальным выбором для современных компактных устройств. Они сочетают в себе новейшие технологии высоковольтного GaN HEMT и низковольтных кремниевых МОП-транзисторов, обеспечивая превосходную надежность и производительность. Transphorm GaN обеспечивает повышенную эффективность по сравнению с кремнием за счет меньшего заряда затвора, меньших потерь на переходе и меньшего заряда обратного восстановления.

TP65H150LSG (8×8 PQFN) — это высококачественный полевой транзистор, который обеспечивает надежную работу и высокую эффективность в различных приложениях. Благодаря своим характеристикам и компактному корпусу, он является отличным выбором для современных электронных устройств.

Детали

Вес 6 г
Габариты 25 × 12 × 4 мм
Смотреть подробное описание