Описание
TPH1R306PL datasheet
60V 100A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 91 nC
Время нарастания (tr): 8.3 ns
Выходная емкость (Cd): 1160 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00134 Ohm
MOSFET транзисторы являются одними из самых распространенных и важных элементов в электронике. Они широко используются в различных устройствах, таких как компьютеры, мобильные телефоны, автомобильная электроника и другие. Основная идея MOSFET транзистора заключается в его способности управлять током с помощью напряжения на затворе.
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) MOSFET транзистора составляет 170 Вт, что позволяет использовать его в приложениях с высокой мощностью. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|) составляет 60 В, что обеспечивает надежную работу транзистора при различных условиях.
Для включения MOSFET транзистора необходимо превысить пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|), которое составляет 2.5 В. При этом предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|) не должно превышать 20 В.
Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|) MOSFET транзистора составляет 100 А, что позволяет использовать его в приложениях с высокими токовыми нагрузками. Однако необходимо учитывать, что при работе с такими высокими токами может возникнуть значительное тепловыделение, поэтому следует обратить внимание на максимальную температуру канала (Tj), которая составляет 175 °C.
Общий заряд затвора (Qg) MOSFET транзистора равен 91 нКл, что означает, что для полного открытия транзистора требуется определенное количество заряда на затворе. Время нарастания (tr) MOSFET транзистора составляет 8.3 нс, что определяет скорость переключения транзистора.
Выходная емкость (Cd) MOSFET транзистора равна 1160 пФ, что означает, что при работе с высокими частотами следует учитывать влияние этой емкости на работу транзистора.
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) MOSFET составляет 0.00134 Ом, что обеспечивает низкое сопротивление включенного транзистора и минимальные потери мощности.
В заключение, MOSFET транзисторы являются важными элементами в электронике, обладающими высокой мощностью, надежностью и быстрым переключением. Они находят широкое применение в различных устройствах и обеспечивают эффективную работу электронных систем.
TPH1R3
