Описание
TPH1R712MD – высококачественный транзистор MOSFET, разработанный специально для использования в системах майнинга и других высокопроизводительных приложениях. Он обладает высокой эффективностью и надежностью, что позволяет снизить энергопотребление и повысить производительность вашей системы.
Спецификация:
- Модель: TPH1R712MD
- Тип: транзистор MOSFET
- Напряжение стока-истока (Vds): 100 В
- Ток стока (Id): 100 А
- Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 1.2 мОм
- Мощность: 250 Вт
- Корпус: TO-220
С током стока до 100 А и напряжением стока-истока до 100 В, TPH1R712MD обеспечивает стабильную и эффективную работу даже при высоких нагрузках. Сопротивление открытого канала (Rds(on)) составляет всего 1.2 мОм, что позволяет снизить потери мощности и повысить эффективность работы системы.
TPH1R712MD имеет корпус TO-220, который обеспечивает удобную установку и надежное соединение с другими компонентами системы. Этот транзистор MOSFET является незаменимым элементом для оптимизации работы систем майнинга, обеспечивая стабильность и эффективность вашей системы.
Приобретайте TPH1R712MD транзистор MOSFET и улучшите производительность своей системы майнинга уже сегодня!
