Описание
IPW65R029F7 — это высокопроизводительный N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-247, разработанный на базе технологии CoolMOS™ от Infineon. Он предназначен для работы в силовых цепях с высоким напряжением и током, обеспечивая минимальные потери и высокую эффективность в источниках питания и инверторах, используемых в майнинговом оборудовании.
Основные характеристики:
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
- Максимальный ток стока: 60 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.029 Ом
- Корпус: TO-247 — подходит для установки на радиатор
- Технология: CoolMOS™ — повышенная эффективность и надёжность
- Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
Преимущества:
- Низкие потери при переключении — повышенная энергоэффективность
- Высокая плотность мощности — компактные силовые решения
- Устойчивость к перегрузкам и температурным скачкам
- Надёжная работа в условиях высокой частоты и напряжения
- Совместимость с силовыми блоками питания для ASIC и GPU
Применение:
- Импульсные блоки питания
- DC-DC преобразователи
- Инверторы и стабилизаторы напряжения
- Силовые драйверы вентиляторов и насосов
- Майнинговые фермы и серверные источники питания
IPW65R029F7 — это надёжный компонент для сборки или ремонта оборудования, где требуется стабильная работа при высоких токах и напряжениях. Подходит как для промышленных решений, так и для энтузиастов, собирающих собственные майнинг-установки с высокой эффективностью и надёжностью.
