Описание
B2M040120Z
1200V 73A
B2M040120Z — это высокоэффективный SiC MOSFET транзистор с номинальным напряжением 1200 В и током до 40 А, выполненный в корпусе PG-TO 247-4. Он предназначен для работы в силовых цепях с высокой частотой переключения и минимальными потерями, что делает его идеальным выбором для майнинговых блоков питания, инверторов и промышленных преобразователей.
Ключевые характеристики
- Тип: N-канальный SiC MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 1200 В
- Максимальный ток стока: 40 А
- Корпус: PG-TO 247-4 с отдельным выводом гейта
- Сопротивление открытого канала: менее 80 мОм
- Температурный диапазон: от –55°C до +175°C
- BASIC
Применение в майнинге
B2M040120Z применяется в высокоэффективных источниках питания, DC-DC преобразователях, драйверах и инверторах, используемых в майнинговом оборудовании. Благодаря технологии карбида кремния (SiC), транзистор обеспечивает минимальные потери при переключении, высокую термостабильность и устойчивость к перегрузкам.
Преимущества
- Технология SiC — высокая эффективность и надёжность
- Корпус PG-TO 247-4 — улучшенное управление гейтом и теплоотвод
- Подходит для высокочастотных и импульсных режимов
- Совместимость с промышленными стандартами монтажа
- Устойчивость к перегреву и лавинным нагрузкам
B2M040120Z — это надёжный силовой транзистор нового поколения для построения энергоэффективных решений в майнинге и промышленной электронике.
