Описание
G1N65R035TB
650V 46,5A
G1N65R035TB-N — мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-247, предназначенный для работы в высоковольтных и высокотоковых силовых цепях. Обеспечивает надёжную коммутацию при напряжении до 650 В и токе до 80 А, что делает его отличным выбором для майнинговых блоков питания, инверторов, драйверов и других промышленных устройств с высокой нагрузкой.
Ключевые характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET
- Корпус: TO-247 с теплоотводящей площадкой
- Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
- Максимальный ток стока: 80 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): 0.035 Ом
- Максимальная мощность рассеивания: до 300 Вт при установке на радиатор
- Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
Преимущества
- Низкие потери при переключении
- Высокая надёжность при работе в условиях повышенной нагрузки
- Удобный монтаж на радиатор через отверстие в корпусе
- Совместимость с драйверами силовых транзисторов
- Gan, GaNext
Применение
Рекомендуется для использования в майнинговых фермах, источниках питания с высоким КПД, DC-DC и AC-DC преобразователях, драйверах двигателей, промышленных инверторах и других силовых устройствах, где требуется стабильная работа при высоком напряжении и токе.
