Описание

G40T120AK3SD — это MOSFET транзистор в корпусе TO-247, предназначенный для использования в коммутационных устройствах, инверторах, преобразователях напряжения и других приложениях, где требуется высокая эффективность и надежность.

G40T120AK3SD datasheet

Характеристики

  • Тип транзистора: IGBT
  • Корпус: TO-247
  • Максимальное напряжение: 1200 В
  • Максимальный ток: 40 А
  • Потеря мощности: 1.5 В (при 25 °C)
  • Температура окружающей среды: от -40 °C до +150 °C

Преимущества

  • N-канальная структура MOSFET для управления обратным током.
  • Низкое значение сопротивления замкнутого состояния (RDS(on)), что обеспечивает высокую производительность и эффективность.
  • Максимальное рабочее напряжение переключения 1200V.
  • Максимальный ток смещения.
  • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами.
  • Надежность и долговечность благодаря качественной конструкции.
  • Широкий диапазон рабочих температур, что позволяет использовать транзистор в различных условиях.
  • Подходит для множества приложений, включая преобразователи частоты и управление двигателями.
  • Корпус TO-247 для удобной установки на радиатор и обеспечения эффективного охлаждения.

G40T120AK3SD является отличным выбором для разработчиков, которым необходим надежный и мощный IGBT-транзистор для реализации сложных электрических схем. Его характеристики и преимущества делают его идеальным решением для Вашей работы.

Детали

Вес 7 г
Смотреть подробное описание