Описание
G40T120AK3SD — это MOSFET транзистор в корпусе TO-247, предназначенный для использования в коммутационных устройствах, инверторах, преобразователях напряжения и других приложениях, где требуется высокая эффективность и надежность.
Характеристики
- Тип транзистора: IGBT
- Корпус: TO-247
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Максимальный ток: 40 А
- Потеря мощности: 1.5 В (при 25 °C)
- Температура окружающей среды: от -40 °C до +150 °C
Преимущества
- N-канальная структура MOSFET для управления обратным током.
- Низкое значение сопротивления замкнутого состояния (RDS(on)), что обеспечивает высокую производительность и эффективность.
- Максимальное рабочее напряжение переключения 1200V.
- Максимальный ток смещения.
- Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами.
- Надежность и долговечность благодаря качественной конструкции.
- Широкий диапазон рабочих температур, что позволяет использовать транзистор в различных условиях.
- Подходит для множества приложений, включая преобразователи частоты и управление двигателями.
- Корпус TO-247 для удобной установки на радиатор и обеспечения эффективного охлаждения.
G40T120AK3SD является отличным выбором для разработчиков, которым необходим надежный и мощный IGBT-транзистор для реализации сложных электрических схем. Его характеристики и преимущества делают его идеальным решением для Вашей работы.