Описание

IRFH5300TRPBF — это высокоэффективный полевой транзистор (MOSFET) в компактном корпусе QFN-8, предназначенный для использования в схемах майнинга криптовалют. Этот компонент производства компании Infineon Technologies обеспечивает высокую производительность и надежность.

IRFH5300TRPBF datasheet

Характеристики:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 30 В
  • Максимальный ток стока (Id): 22 А
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 8.7 мОм при Vgs = 10 В
  • Корпус: QFN-8
  • Рабочая температура: от -55°C до +150°C

Преимущества:

  • Повышение эффективности майнинговых установок за счет уменьшения потерь мощности
  • Увеличение срока службы оборудования благодаря высокой термической стабильности и надежности компонентов
  • Снижение затрат на обслуживание и ремонт
  • Компактный размер позволяет экономить пространство на печатной плате
  • Высокая эффективность при низком напряжении
  • Малое сопротивление в открытом состоянии для уменьшения потерь мощности
  • Высокая скорость переключения
  • Улучшенная термическая стабильность
  • Подходит для высокочастотных приложений

IRFH5300TRPBF (QFN-8) — идеальный выбор для создания мощных и эффективных майнинговых систем, требующих надежности и долговечности.

Транзисторы IRFH5300TRPBF оптимизированы для использования в схемах DC-коммутации, таких как активные схемы ORing и электроприводы постоянного тока. Они изготовлены с использованием новейшей кремниевой технологии и имеют уникальную конструкцию, которая включает медную клипсу для улучшения теплопередачи и снижения сопротивления перехода между кристаллом и клипсой до менее чем 1 мОм.

Детали

Вес 3 г
Габариты 5 × 5 × 3 мм
Смотреть подробное описание