Описание

JS60R080WUCR — это транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), выпускаемый компанией Infineon Technologies. Он представляет собой N-канальный MOSFET транзистор с улучшенными характеристиками.

Спецификация:

  • Модель: JS60R080WUCR (TO-247)
  • Тип: Транзистор MOSFET
  • Корпус: TO-247
  • Напряжение стока-истока (VDS): 600 В
  • Ток стока (ID): 60 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,08 Ом
  • Максимальная рабочая температура: 175°C
  • Положительное напряжение порога открытия (VGS(th)): 2,5 В
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж

JS60R080WUCR (TO-247) — это высококачественный транзистор MOSFET, предназначенный для использования в системах майнинга. Он обладает высокой эффективностью и надежностью, что позволяет повысить производительность и снизить энергопотребление вашего майнингового оборудования.

С помощью этого транзистора вы сможете эффективно управлять током и напряжением в вашей системе майнинга, обеспечивая стабильную работу и защиту от перегрева. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала (RDS(on)) в 0,08 Ом, транзистор обеспечивает низкие потери мощности и высокую эффективность.

JS60R080WUCR (TO-247) имеет высокую максимальную рабочую температуру до 175°C, что обеспечивает надежную работу даже в условиях повышенной нагрузки и температуры. Корпус TO-247 обеспечивает удобство монтажа и надежное соединение с другими компонентами вашей системы.

  • Тип: JS60R080WUCR — это N-канальный MOSFET транзистор, что означает, что у него есть N-канал между истоком и стоком.
  • Мощность: Транзистор JS60R080WUCR имеет низкое сопротивление канала (RDS(on)), что обеспечивает эффективную работу при высоких токовых нагрузках. Он способен выдерживать значительные уровни тока и энергии, что делает его подходящим для широкого спектра приложений.
  • Напряжение и ток: Транзистор JS60R080WUCR имеет номинальное напряжение стока-истока (VDS) до определенного предела. Он также имеет номинальный дрейн-ток (ID), который указывает на максимально допустимый ток, который может протекать через транзистор при определенных условиях.
  • Защитные функции: Транзистор JS60R080WUCR может иметь встроенные функции защиты, такие как защита от перенапряжения, перегрева и короткого замыкания. Это может повысить надежность и защиту устройства, в котором используется транзистор.
  • Применение: Транзистор JS60R080WUCR может использоваться в широком спектре электронных устройств и систем, включая источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы, и другие приложения, где требуется управление и усиление сигнала.
  • Упаковка: Чип JS60R080WUCR доступен в различных упаковках, таких как TO-220AB, DPAK и других, что облегчает его монтаж на печатные платы или другие компоненты системы.
  • Выбирая транзистор MOSFET JS60R080WUCR (TO-247), вы получаете надежное и эффективное решение для оптимизации работы вашего майнингового оборудования.

    Смотреть подробное описание