Описание

K39N60W5 — это транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) в корпусе TO-247.

Транзистор K39N60W (TO-247) является надежным и эффективным компонентом, который широко используется в системах майнинга. Он обладает высокими характеристиками и предназначен для работы в условиях повышенной нагрузки.

K39N60W datasheets

Спецификация:

  • Модель: K39N60W
  • Тип корпуса: TO-247
  • Максимальное напряжение стока-истока (Vds): 600 В
  • Максимальный ток стока (Id): 39 А
  • Максимальная мощность (Pd): 200 Вт
  • Напряжение порога открытия (Vgs(th)): 3 В
  • Температурный диапазон: -55°C до +150°C
  • Время переключения (t(on), t(off)): 30 нс, 100 нс

С помощью K39N60W вы сможете обеспечить стабильную и эффективную работу вашего майнингового оборудования. K39N60W5 обладает высоким напряжением стока-истока (600V), что позволяет использовать его в приложениях с высокими напряжениями. Он также обеспечивает низкое сопротивление в открытом канале (RDS (on)) — 0.39 ohm, что способствует эффективной работе устройства.

Кроме того, K39N60W обладает низким сопротивлением и низким напряжением порога открытия, что способствует эффективной работе и минимизации потерь энергии. Транзистор также обладает быстрым временем переключения, что позволяет ему эффективно управлять сигналами и обеспечивать высокую производительность.

K39N60W (TO-247) транзистор — надежный и мощный компонент, который поможет вам оптимизировать работу вашего майнингового оборудования и повысить его эффективность.

Максимальный ток стока составляет 30A, что позволяет транзистору управлять средними токами. Он также обладает высокой мощностью потерь в открытом состоянии (200W), что позволяет ему справляться с большими мощностями.

K39N60W5 имеет быстрое время переключения, что делает его подходящим для использования в приложениях, требующих высокой скорости работы. Он также обладает широким температурным диапазоном, что позволяет использовать его в различных условиях.

Таким образом, K39N60W является мощным и эффективным транзистором MOSFET, который может быть использован в широком спектре приложений, требующих управления средними токами и высокими напряжениями.

Смотреть подробное описание