Описание

MDF10N50F — это мощный MOSFET транзистор, производимый компанией ON Semiconductor. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах и схемах усиления мощности.

Транзистор MDF10N50F (TO-220F) является N-канальным MOSFET-транзистором, предназначенным для использования в различных электронных устройствах, включая системы майнинга. Он обладает высокими характеристиками производительности и надежности.

MDF10N50F datasheet

Спецификация:

  • Модель: MDF10N50F
  • Тип корпуса: TO-220F
  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET
  • Напряжение стока-истока (VDS): 500 В
  • Ток стока (ID): 10 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.35 Ом
  • Максимальная мощность (PD): 75 Вт
  • Напряжение затвора-истока (VGS(th)): 2.5 В
  • Температурный диапазон: -55°C до +150°C

С помощью MDF10N50F можно эффективно управлять электрическими сигналами и силовыми цепями. Он обеспечивает низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) в 0.35 Ом, что позволяет снизить потери мощности и повысить эффективность работы системы.

Транзистор имеет высокое напряжение стока-истока (VDS) до 500 В и ток стока (ID) до 10 А, что обеспечивает его способность работать с высокими нагрузками. Он также обладает низким напряжением затвора-истока (VGS(th)) в 2.5 В, что упрощает его управление.

MDF10N50F (TO-220F) транзистор является надежным и эффективным компонентом для использования в системах майнинга и других электронных устройствах, где требуется управление силовыми цепями.

MDF10N50F может использоваться в широком спектре приложений, включая источники питания, силовые блоки, преобразователи напряжения, инверторы, высокочастотные сварочные аппараты и другие устройства, где требуется надежный и эффективный усилитель мощности.

Детали

Вес 4 г
Габариты 15 × 8 × 3 мм
Смотреть подробное описание