Описание
MDF10N50F — надёжный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220F, предназначенный для работы в высоковольтных силовых цепях. Обеспечивает стабильную коммутацию при напряжении до 500 В и токе до 10 А, что делает его подходящим для применения в майнинговых блоках питания, инверторах, драйверах и других устройствах с повышенной нагрузкой.
Ключевые характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET
- Корпус: TO-220F (изолированный, с теплоотводящей площадкой)
- Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
- Максимальный ток стока: 10 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): около 0.85 Ом при VGS = 10 В
- Максимальная мощность рассеивания: до 45 Вт
- Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
Преимущества
- Изолированный корпус — упрощает монтаж на радиатор без дополнительной прокладки
- Высокое напряжение пробоя — подходит для силовых и импульсных схем
- Надёжная работа при повышенных температурах
- Совместимость с драйверами силовых транзисторов
Применение
Рекомендуется для использования в майнинговых фермах, источниках питания с высоким КПД, DC-DC и AC-DC преобразователях, драйверах двигателей, промышленных инверторах и других силовых устройствах, где требуется стабильная работа при высоком напряжении и токе.
Дополнительная информация
Для эффективного теплоотвода рекомендуется установка на радиатор с термопастой. Подробные электрические параметры, графики и типовые схемы включения доступны в официальном даташите производителя.
