Описание
100V 120A
MDP10N027TH (TO-220) транзистор – это N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для использования в системах майнинга и других высокопроизводительных приложениях. Он обладает высокими характеристиками и надежностью, что делает его идеальным выбором для проектов, требующих высокой эффективности и низкого сопротивления.
MDP10N027TH использует усовершенствованный МОП-транзистор Magnachip. Технология, обеспечивающая высокую производительность по сопротивлению в открытом состоянии,
Спецификация:
- Модель: MDP10N027TH
- Корпус: TO-220
- Тип: N-канальный MOSFET транзистор
- Напряжение стока-истока (VDS): 100 В
- Ток стока (ID): 120 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(ON)): 0.027 Ом
- Мощность: 50 Вт
- Температурный диапазон: -55°C до +175°C
- Применение: идеально подходит для использования в системах майнинга и других высокопроизводительных приложениях
Транзистор имеет напряжение стока-истока (VDS) 100 В и ток стока (ID) 10 А, что обеспечивает достаточную мощность для работы с майнинговыми системами. Сопротивление открытого канала (RDS(ON)) составляет 0.027 Ом, что позволяет снизить потери мощности и повысить эффективность работы системы.
MDP10N027TH (TO-220) транзистор имеет широкий температурный диапазон работы от -55°C до +175°C, что обеспечивает стабильную работу даже в экстремальных условиях. Он легко монтируется в корпусе TO-220, что обеспечивает удобство при установке.
Эти устройства также могут быть использованы в промышленных приложениях, таких как маломощные приводы E-bike (E-Vehicles), преобразователь постоянного тока в постоянный, и приложений общего назначения.
Благодаря своим высоким характеристикам и надежности, MDP10N027TH (TO-220) транзистор является отличным выбором для систем майнинга и других высокопроизводительных приложений, где требуется эффективная работа и низкое сопротивление.
