Описание

MDP10N027TH — это высокотоковый N-канальный MOSFET в корпусе TO-220, предназначенный для работы в силовых цепях с напряжением до 100 В. Обеспечивает надёжную коммутацию при токе до 80 А, что делает его отличным выбором для майнинговых блоков питания, DC-DC преобразователей и других промышленных приложений, где требуется высокая эффективность и стабильность.

Ключевые характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Корпус: TO-220 с теплоотводящей площадкой
  • Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
  • Максимальный ток стока: 80 А
  • Сопротивление открытого канала RDS(on): 0.0027 Ом
  • Мощность рассеивания: до 150 Вт при установке на радиатор
  • Температурный диапазон: от -55°C до +175°C

Преимущества

  • Минимальные потери благодаря сверхнизкому сопротивлению канала
  • Высокая скорость переключения
  • Надёжная работа при высоких токах и температурах
  • Удобный монтаж на радиатор через отверстие в корпусе

Применение

Рекомендуется для использования в майнинговых фермах, источниках питания с высоким КПД, аккумуляторных системах, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и других силовых устройствах, где требуется высокая токовая нагрузка при умеренном напряжении.

Детали

Вес 5 г
Габариты 15 × 8 × 3 мм
Смотреть подробное описание