Описание
IPZ60R017C7 — это высоковольтный N-канальный MOSFET, выполненный по технологии CoolMOS™ C7 от Infineon. Предназначен для работы в силовых цепях с напряжением до 600 В и отличается сверхнизким сопротивлением открытого канала. Корпус PG-TO247-4 с отдельным выводом для драйвера обеспечивает улучшенные характеристики переключения и надёжный теплоотвод, что делает компонент идеальным для применения в майнинговых источниках питания, инверторах и других промышленных силовых схемах.
Ключевые характеристики
- Тип: N-канальный суперпереходный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Максимальный ток стока: 90 А
- Корпус: PG-TO247-4, с отдельным выводом драйвера
- Мощность рассеяния: до 417 Вт при эффективном охлаждении
- Заряд затвора: 260 нКл
- Температурный диапазон: от –55°C до +150°C
Применение в майнинге
Транзистор IPZ60R017C7 используется в силовых блоках питания, DC-DC преобразователях, драйверах и распределительных узлах майнингового оборудования. Благодаря технологии CoolMOS™ C7, он обеспечивает минимальные потери, высокую скорость переключения и устойчивость к перегрузкам, что особенно важно при круглосуточной эксплуатации.
Преимущества
- Сверхнизкие потери при переключении
- Высокая плотность тока и термостабильность
- Совместимость с драйверами MOSFET
- Подходит для высокоэффективных силовых решений
- Надёжная работа при высоких токах и температурах
IPZ60R017C7 — это надёжный транзистор для построения эффективных и устойчивых решений в майнинге и промышленной электронике.
