Описание

OSG55R140F — это высоковольтный N-канальный MOSFET на 550 В с сопротивлением открытого канала около 0.14 Ом, выполненный в полностью изолированном корпусе TO-220F. Компонент разработан для импульсных источников питания, обеспечивая низкие коммутационные потери, высокую стабильность и надежность при длительной эксплуатации.

В майнинговом оборудовании OSG55R140F применяется в силовых каскадах блоков питания ASIC-майнеров, PFC-модулях, драйверах MOSFET, высоковольтных DC-DC преобразователях и вспомогательных цепях PSU. Изолированный корпус TO-220F обеспечивает повышенную безопасность и улучшенную тепловую стабильность.

Назначение:

  • Импульсные источники питания (SMPS).
  • PFC-каскады и AC-DC преобразователи.
  • Высоковольтные DC-DC модули.
  • Силовые модули ASIC-майнеров.
  • Инверторы и драйверы силовых ключей.

Технические характеристики (обобщенно):

  • Тип: N-канальный MOSFET.
  • Корпус: TO-220F (изолированный).
  • Максимальное напряжение: 550 В.
  • Rds(on): ~0.14 Ом.
  • Высокая скорость переключения.
  • Минимальные коммутационные потери.

Преимущества OSG55R140F:

  • Изолированный корпус для безопасного монтажа.
  • Низкие потери и высокая энергоэффективность.
  • Стабильность при 24/7 эксплуатации.
  • Подходит для высоковольтных топологий.
  • Надежность в промышленных условиях.

Применение в майнинге:

  • Силовые каскады PSU ASIC-майнеров.
  • PFC-модули и коррекция коэффициента мощности.
  • Высоковольтные DC-DC преобразователи.
  • Ремонт и модернизация блоков питания.

OSG55R140F (TO-220F) — надежный MOSFET промышленного уровня, идеально подходящий для майнинговых систем, серверных PSU и высоконагруженной электроники, где важны стабильность, долговечность и минимальные потери.

Детали

Вес 2 г
Габариты 2 × 4 × 1 мм
Смотреть подробное описание