Описание
OSG55R190F
550V 20A
OSG55R190F — это высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-220F, предназначенный для применения в силовых цепях майнингового оборудования. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой скорости переключения, он обеспечивает эффективную работу в блоках питания, инверторах и преобразователях, где важна надёжность и тепловая стабильность.
Основные характеристики:
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 550 В
- Максимальный ток стока: 60 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.190 Ом
- Корпус: TO-220F — с изолированной задней поверхностью, подходит для монтажа без дополнительной прокладки
- Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
Преимущества:
- Изолированный корпус — упрощённая установка на радиатор
- Низкие потери при переключении — высокая энергоэффективность
- Устойчивость к перегрузкам и температурным колебаниям
- Надёжная работа в условиях повышенного напряжения
- Совместимость с силовыми блоками питания для ASIC и GPU
Применение:
- Импульсные блоки питания
- DC-DC преобразователи
- Инверторы и стабилизаторы напряжения
- Силовые драйверы вентиляторов, насосов и систем охлаждения
- Майнинговые фермы и серверные источники питания
OSG55R190F — это надёжный компонент для сборки или модернизации оборудования, где требуется стабильная работа при высоком напряжении и умеренном токе. Идеален для применения в майнинге, промышленной автоматике и силовой электронике.
