Описание
OSG60R017HT4Z — это высокоэффективный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный в корпусе TO-247, предназначенный для работы в силовых цепях с напряжением до 600 В и током до 120 А. Он разработан с применением технологии GreenMOS®, обеспечивающей минимальные потери при переключении и высокую устойчивость к лавинным нагрузкам.
Применяется на болоках питания Whatsminer P739A и P732A
Ключевые характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Максимальный ток стока: 120 А
- Корпус: TO-247, с мощной теплоотводящей площадкой
- Сопротивление открытого канала: около 17 мОм
- Мощность рассеяния: до 312 Вт (при хорошем теплоотводе)
- Температурный диапазон: от –55°C до +150°C
Применение в майнинге
OSG60R017HT4Z применяется в мощных источниках питания, DC-DC преобразователях, драйверах и инверторах, используемых в майнинговых установках. Его высокая токовая нагрузка, низкое сопротивление канала и термостабильность обеспечивают надёжную работу оборудования при круглосуточной эксплуатации.
Преимущества
- Высокое рабочее напряжение — до 600 В
- Корпус TO-247 — надёжный теплоотвод и механическая прочность
- Низкое сопротивление канала — минимальные потери
- Подходит для импульсных и высокочастотных режимов
- Устойчивость к лавинным нагрузкам и перегреву
OSG60R017HT4Z — это надёжный силовой транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге, промышленной автоматике и источниках питания высокой мощности.
