Описание
PTP08N06N (TO-220) транзистор — это N-канальный MOSFET, который обладает высокой производительностью и надежностью. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах, включая системы майнинга.
Спецификация:
- Модель: PTP08N06N
- Тип корпуса: TO-220
- Тип транзистора: N-канальный MOSFET
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
- Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
- Общий заряд затвора (Qg): 50.8 nC
- Напряжение стока-истока (VDS): 60 В
- Ток стока (ID): 80 А
- Сопротивление открытого стока (RDS(on)): 0.004 Оhм
- Мощность (PD): 125 Вт
- Температурный диапазон: -55°C до +175°C
- Время нарастания (tr): 59 ns
- Выходная емкость (Cd): 430 pf
Этот транзистор имеет низкое сопротивление открытого стока (RDS(on)) в 0.008 Ом, что позволяет эффективно управлять током стока (ID) до 80 А. Благодаря высокому напряжению стока-истока (VDS) в 60 В, он может работать с высокими напряжениями без потери производительности.
PTP08N06N (TO-220) транзистор обладает хорошей теплопроводностью и может работать в широком температурном диапазоне от -55°C до +175°C. Это делает его идеальным выбором для использования в условиях, требующих высокой надежности и стабильной работы.
Благодаря своим характеристикам и надежности, PTP08N06N (TO-220) транзистор является отличным компонентом для систем майнинга и других электронных устройств, где требуется эффективное управление током и высокая производительность.