Описание

Полупроводниковый SSW90R160SFD — это мощный MOSFET транзистор в корпусе TO-247, предназначенный для использования в высоковольтных приложениях. Обладая высокой производительностью и надежностью, транзистор подходит для использования в блоках питания, преобразователях напряжения и других устройствах, требующих эффективного управления мощностью и минимизации потерь. 90R160

SSW90R160SFD Datasheet

Спецификация

  • Модель: SSW90R160SFD Многовитковый процесс SJ-FET
  • Корпус: TO-247
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Максимальное напряжение (VDS): 900V
  • Максимальный ток (ID): 25A
  • Сопротивление канала (RDS(on)): 0.138Ω
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 500W
  • Высокая скорость переключения
  • 100% протестирован на лавинное действие
  • Низкое сопротивление канала
  • Тепловое управление: улучшенное

SJ-FET представляет собой новое поколение МОП-транзисторов высокого напряжения, которое использует передовой механизм балансировки заряда для выдающегося низкого сопротивления и меньшего заряда ворот. Эта передовая технология разработана для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходной производительности при коммутации и устойчивости к экстремальным значениям скорости dv/dt и более высокой энергии лавинного пробоя. SJ-FET подходит для различных операций AC/DC преобразования энергии в ключевом режиме для повышения эффективности.

Благодаря низкому сопротивлению канала и высокой скорости переключения, SSW90R160SFD обеспечивает превосходную производительность при работе с высокими токами и напряжениями. Этот транзистор идеален для широкого круга приложений, включая промышленные, коммерческие и потребительские устройства. Корпус TO-247 обеспечивает отличное управление тепловыми характеристиками, что увеличивает долговечность и надежность устройства.

Детали

Вес 5 г
Габариты 40 × 15 × 5 мм
Смотреть подробное описание