Описание

STH3N150-2

1500V 2.5A

Это силовой MOSFET транзистор, разработанный компанией STMicroelectronics. Он предназначен для использования в приложениях с высоким напряжением и большими токами, таких как инверторы, источники питания, преобразователи постоянного тока и другие силовые устройства.

STH3N150-2 Datasheet

Спецификация:

  • Модель: STH3N150-2 (H PAK-2)
  • Тип: N-канальный MOSFET транзистор
  • Напряжение сток-исток (VDS): 1500 В
  • Ток сток-исток (ID): 2.5 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.3 Ом
  • Максимальная рабочая температура: 175°C
  • Корпус: H PAK-2

STH3N150-2 (H PAK-2) транзистор — это высококачественный N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для использования в системах майнинга. Он обладает высоким напряжением сток-исток до 150 В и током сток-исток до 3 А, что обеспечивает эффективную работу в различных условиях. Сопротивление открытого канала составляет 0.3 Ом, что позволяет достичь низкого сопротивления и минимизировать потери мощности.

STH3N150-2 (H PAK-2) транзистор имеет надежную конструкцию и высокую степень надежности, что делает его идеальным выбором для использования в системах майнинга. Он способен эффективно управлять высокими токами и напряжениями, обеспечивая стабильную и надежную работу вашего оборудования.

Корпус H PAK-2 обеспечивает удобство монтажа и надежное соединение с другими компонентами системы. Благодаря своим характеристикам и надежности, STH3N150-2 (H PAK-2) транзистор является отличным выбором для оптимизации работы систем майнинга и обеспечения их эффективной работы.

  • Тип транзистора: STH3N150-2 относится к каналу MOSFET транзисторам типа N, что означает, что управление током осуществляется через напряжение на затворе относительно истока.
  • Напряжение и ток пробоя: STH3N150-2 имеет высокое значение максимального обратного напряжения (Vds) и тока (Id), что позволяет ему работать с высокими мощностями и нагрузками.
  • Низкое сопротивление открытого канала: Транзистор обладает низким сопротивлением открытого канала (Rds(on)), что позволяет эффективно управлять большими токами и снижать потери мощности.
  • Высокая надежность: STH3N150-2 обладает высокой надежностью и стабильностью работы, обеспечивая долгий срок службы.
  • Защитные функции: Транзистор может иметь встроенные защитные функции, такие как защита от перегрева, перенапряжения и короткого замыкания, обеспечивая надежную работу в различных условиях эксплуатации.
  • Низкая емкость переключения: STH3N150-2 может иметь низкую емкость переключения, что позволяет быстро переключать ток и улучшает эффективность устройства.

Приобретайте STH3N150-2 (H PAK-2) транзисторы для вашей системы майнинга и обеспечьте ее стабильную и эффективную работу!

Детали

Вес 4 г
Габариты 4 × 5 × 2 мм
Смотреть подробное описание