Описание
STH3N150-2 — это N-канальный MOSFET, выполненный по технологии PowerMESH, предназначенный для работы в силовых цепях с напряжением до 1500 В. Корпус H2PAK-2 обеспечивает надёжный теплоотвод и удобство монтажа, что делает компонент подходящим для применения в майнинговых источниках питания, инверторах и других высоковольтных промышленных схемах.
Ключевые характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 1500 В
- Максимальный ток стока: 2.5 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): 6.0 Ом (типовое)
- Корпус: H2PAK-2, с теплоотводящей площадкой
- Мощность рассеяния: до 60 Вт при эффективном охлаждении
- Температурный диапазон: от –55°C до +150°C
Применение в майнинге
Транзистор STH3N150-2 используется в высоковольтных участках силовых блоков питания, драйверах, преобразователях напряжения и распределительных узлах майнингового оборудования. Благодаря высокой стойкости к перенапряжениям и надёжной коммутации, он обеспечивает стабильную работу при круглосуточной эксплуатации.
Преимущества
- Рабочее напряжение до 1500 В — подходит для высоковольтных схем
- Корпус H2PAK-2 — надёжный теплоотвод и механическая прочность
- 100% тестирование на лавинную прочность
- Минимальные паразитные ёмкости — высокая скорость переключения
- Совместимость с промышленными стандартами монтажа
STH3N150-2 — это надёжный высоковольтный транзистор для построения эффективных решений в майнинге и промышленной электронике.
