Описание
TP65H150BG4JSG — это транзистор на основе нитрида галлия (GaN), производимый компанией Transphorm. Вот основные характеристики и особенности:
- Напряжение: 650 В
- Ток: 16 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,18 Ом
- Емкость: 4,9 нК
- Тип корпуса: PQFN (пластиковый корпус с квадратным плоским безвыводным исполнением)
Это устройство разработано для высокоэффективных приложений преобразования энергии, что делает его подходящим для использования в различных электронных системах, включая источники питания и приводы двигателей. TP65H150BG4JSG классифицируется как устройство с нормальным выключением, что повышает безопасность и надежность в схемотехнических разработках.
