Описание
AKG6N013GL — это компактный N-канальный MOSFET с напряжением пробоя 30 В, выполненный в корпусе PDFN5x6. Он предназначен для применения в высокоэффективных DC-DC преобразователях, синхронных выпрямителях и силовых модулях, включая блоки питания для майнинговых установок. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой плотности тока, транзистор обеспечивает отличную производительность при минимальных тепловых потерях.
Ключевые характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток–исток: 30 В
- Сопротивление открытого канала RDS(on): 1.3 mΩ (типовое при VGS = 10 В)
- Максимальный ток: до 100 А (импульсный), до 30–40 А (непрерывный при хорошем теплоотводе)
- Корпус: PDFN5x6 — низкопрофильный, с отличным тепловым контактом
- Низкая входная и выходная зарядка — подходит для высокочастотной коммутации
- Поддержка логических уровней управления (VGS(th) ≈ 1.5–2.0 В)
Преимущества для майнинга
- Минимальные потери при переключении — повышение эффективности DC-DC преобразователей
- Компактный корпус — экономия пространства на плате и возможность плотной компоновки
- Низкое тепловыделение — снижение требований к охлаждению
- Высокая надёжность при работе в режиме 24/7
