Описание
ATSCM60G65W — это высокоэффективный N-канальный SiC MOSFET транзистор, выполненный в корпусе TO-247-4, предназначенный для работы в силовых цепях с напряжением до 650 В и током до 51 А. Благодаря технологии карбида кремния (SiC), он обеспечивает минимальные потери, высокую частоту переключения и надёжную работу при экстремальных нагрузках.
Ключевые характеристики
- Тип: N-канальный SiC MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
- Максимальный ток стока: 51 А
- Корпус: TO-247-4, с дополнительным выводом Kelvin Source
- Сопротивление открытого канала: 59 мОм
- Мощность рассеяния: до 200 Вт
- Температурный диапазон: от –55°C до +175°C
Применение в майнинге
ATSCM60G65W применяется в мощных источниках питания, DC-DC преобразователях, инверторах и драйверах, используемых в майнинговых установках. Технология SiC позволяет достичь высокой эффективности, снижая тепловые потери и повышая надёжность оборудования при круглосуточной эксплуатации.
Преимущества
- Высокое рабочее напряжение — до 650 В
- Корпус TO-247-4 — надёжный теплоотвод и контроль затвора
- Технология SiC — высокая частота и термостабильность
- Подходит для импульсных и высокочастотных режимов
- Совместимость с промышленными стандартами монтажа
ATSCM60G65W — это надёжный SiC транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге, промышленной автоматике и источниках питания высокой мощности.
