Описание
UJ4C075023K4S — это современный N-канальный SiC MOSFET транзистор, выполненный в корпусе PG-TO247-4, предназначенный для работы в высоковольтных и высокочастотных силовых цепях. Благодаря широкозонной технологии карбида кремния (SiC), он обеспечивает минимальные потери, высокую термостабильность и надёжность при работе в условиях экстремальных нагрузок.
Ключевые характеристики
- Тип: N-канальный SiC MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 750 В
- Максимальный ток стока: 23 А
- Корпус: PG-TO247-4, с дополнительным выводом для управления затвором (Kelvin source)
- Сопротивление открытого канала: около 80 мОм
- Мощность рассеяния: до 200 Вт (при надлежащем теплоотводе)
- Температурный диапазон: от –55°C до +175°C
Применение в майнинге
UJ4C075023K4S применяется в мощных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и драйверах, используемых в майнинговых установках. Благодаря технологии SiC, он обеспечивает высокую эффективность при переключении, снижает тепловые потери и повышает надёжность оборудования при круглосуточной эксплуатации.
Преимущества
- Высокое рабочее напряжение — до 750 В
- Корпус PG-TO247-4 — надёжный теплоотвод и дополнительный контроль затвора
- Технология SiC — высокая эффективность и термостабильность
- Подходит для импульсных и высокочастотных режимов
- Совместимость с промышленными стандартами монтажа
UJ4C075023K4S — это надёжный SiC транзистор для построения энергоэффективных решений в майнинге, промышленной автоматике и источниках питания высокой мощности.
075023
