Описание
WSD20L70DN datasheet
-20V -70A
WSD20L70DN — это мощный полевой транзистор (MOSFET), который обычно предназначен для работы в источниках питания, усилителях и других схемах, где требуются характеристики высокой мощности и низкое сопротивление в режиме включения.
### Основные характеристики WSD20L70DN:
1. Тип транзистора: P-канальный MOSFET.
2. **Максимальное напряжение стока (Vds): Обычно в пределах 70 В.
3. Максимальный ток стока (Id)**: Может достигать -70А, что позволяет использовать его в приложениях с высокой нагрузкой.
4. **Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on))**: Обычно имеет очень низкое значение (например, ~10 мОм или ниже), что обеспечивает высокую эффективность.
5. **Корпус**: Часто представлен в форм-факторе TO-220 или аналогичном, что обеспечивает хороший теплоотвод.
6. **Частотные характеристики**: Подходит для работы в схемах с высокими частотами, что делает его подходящим для импульсных источников питания.
– **Импульсные источники питания**: Используется как ключевой компонент в системах преобразования энергии.
– **Усилители сигналов**: Применяется в аудиоустройствах и других усилителях.
– **Автомобильные системы**: Может использоваться в различных схемах автомобильной электроники.
– **Электронные нагрузки**: Используется в различных устройствах с высокой нагрузкой, где требуется управление током.
– Высокое напряжение и токовые характеристики.
– Низкое сопротивление в состоянии включения для минимизации потерь.
– Высокая скорость переключения, которая позволяет использовать его в высокочастотных приложениях.
Для получения более детальной информации, рекомендуется ознакомиться с техническим паспортом (datasheet) WSD20L70DN, где вы сможете найти полные характеристики, параметры и рекомендации по его использованию в схемах.
13:14
